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Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag / Conference Paper
Titel:
Electrical activity of B and As segregated at the Si-SiO2 interface
Herausgeber Sammlung:
Downey, D. F.; Law, M. E.; Claverie, A.; Rendon, M. J.
Titel Konferenzpublikation:
Symposium C – Si Front-End Junction Formation Technologies
Paralleltitel Konferenzpublikation:
Silicon Front-End Junction Formation Technologies
Reihentitel:
Materials Research Society Symposium - Proceedings
Bandnummer Reihe:
717
Konferenztitel:
Materials Research Society Symposium (2002, San Francisco, CA)
Tagungsort:
San Francisco, CA
Jahr der Konferenz:
2002
Datum Beginn der Konferenz:
02.04.2002
Datum Ende der Konferenz:
04.04.2002
Verlag:
Materials Research Society
Jahr:
2002
Seiten von - bis:
115-120
Sprache:
Englisch
Stichwörter:
Annealing ; Arsenic ; Boron ; Ellipsometry ; Interfaces (materials) ; Silica ; Spectroscopic analysis , Screening oxides ; Semiconducting silicon
Abstract:
During spike annealing of ultra-shallow junctions, large fractions of the dopants form a partially active pile-up at the interface between silicon and the screening oxide layer. In this paper, we show results of sheet resistance, SIMS and high resolution Elastic Recoil Detection measurements to investigate the physical and electrical behaviour of B and As dopant atoms at the interface. Our results show that the fraction of dopants segregated at the interface is as high as 30-50
ISSN:
0272-9172
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik
Institut:
LRT 2 - Institut für angewandte Physik und Messtechnik
Professur:
Dollinger, Günther
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
Sonstige Angaben:
correspondence_address1 = Frühauf, J.; Infineon technologies AG, IMEC vzw, Kapeldreef 75, B-3001 Leuven, Belgium; email: Jens.Fruehauf@irnec.be
BibTeX