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Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
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Autoren:
Reggiani, Susanna; Gnani, Elena; Rudan, Massimo; Baccarani, Giogio; Corvasce, Chiara; Barlini, Davide; Ciappa, Mauro; Fichtner, Wolfgang; Denison, Marie; Jensen, Nils; Groos, Gerhard; Stecher, Matthias
Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
Measurement and Modeling of the Electron Impact-Ionization Coefficient in Silicon Up to Very High Temperatures
Zeitschrift:
IEEE Transactions on Electron Devices
Jahrgang:
52
Heftnummer:
10
Jahr:
2005
Seiten von - bis:
2290-2299
Sprache:
Englisch
ISSN:
0018-9383 ; 1557-9646
DOI:
10.1109/TED.2005.856807
URL zum Inhalt:
https://doi.org/10.1109/TED.2005.856807
Fakultät:
Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
Institut:
ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
Professur:
Groos, Gerhard
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
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Vorkommen:
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