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Document type:
Konferenzbeitrag / Conference Paper
Title:
Modeling the Transient Behavior of MOS-Transistors during ESD and Disturbance Pulses in a System with a Generic Black Box Approach
Title of conference publication:
2018 40th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD)
Conference title:
Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (40., 2018, Reno, NV)
Venue:
Reno, NV, USA
Year of conference:
2018
Date of conference beginning:
23.09.2018
Date of conference ending:
28.09.2018
Place of publication:
Piscataway, NJ
Publisher:
IEEE
Year:
2018
Pages from - to:
1-7
Language:
Englisch
ISBN:
978-1-5853-7302-4 ; 978-1-5386-7409-3
ISSN:
0739-5159
Department:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik; Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
Institute:
EIT 4 - Institut für Mikroelektronik und Schaltungstechnik; ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
Chair:
Sauter, Martin ; Maurer, Linus
Open Access yes or no?:
Nein / No
BibTeX