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- Authors:
- Ammer, Michael; Rupp, Andreas; Cao, Yiqun; Russ, Christian; Sauter, Martin; Maurer, Linus
- Document type:
- Konferenzbeitrag / Conference Paper
- Title:
- Modeling the Transient Behavior of MOS-Transistors during ESD and Disturbance Pulses in a System with a Generic Black Box Approach
- Title of conference publication:
- 2018 40th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD)
- Conference title:
- Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (40., 2018, Reno, NV)
- Venue:
- Reno, NV, USA
- Year of conference:
- 2018
- Date of conference beginning:
- 23.09.2018
- Date of conference ending:
- 28.09.2018
- Place of publication:
- Piscataway, NJ
- Publisher:
- IEEE
- Year:
- 2018
- Pages from - to:
- 1-7
- Language:
- Englisch
- ISBN:
- 978-1-5853-7302-4 ; 978-1-5386-7409-3
- ISSN:
- 0739-5159
- DOI:
- 10.23919/EOS/ESD.2018.8509756
- Department:
- Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik; Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
- Institute:
- EIT 4 - Institut für Mikroelektronik und Schaltungstechnik; ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
- Chair:
- Sauter, Martin ; Maurer, Linus
- Open Access yes or no?:
- Nein / No
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