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Autor:
Heuer, Thomas
Originaltitel:
Lateral aufgelöste Messung des Oberflächenpotentials mit der Kelvin-Methode
Übersetzter Titel:
Measurement of the surface potential with lateral resolution using the Kelvin-method
Jahr:
2005
Typ:
Dissertation
Einrichtung:
Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Betreuer:
Ließ, Hans-Dieter, Prof. Dr.-Ing.
Gutachter:
Ließ, Hans-Dieter, Prof. Dr.-Ing.; Baumgärtner, Hermann, Prof. Dr.-Ing. habil.
Format:
PDF
URN:
urn:nbn:de:bvb:706-1343
Sprache:
Deutsch
Fachgebiet:
Elektrotechnik
Schlagworte:
Grenzflächenpotenzial ; Kelvin-Sonde ; Lateralstruktur
Stichworte:
Raster-Kelvin-Mikroskop, Kelvin-Sonde, Oberflächenpotential, Austrittsarbeit
Kurzfassung:
Die Raster-Kelvin-Mikroskopie bietet im Vergleich zu anderen Meßverfahren für Kontaktpotentialdifferenz beziehungsweise Austrittsarbeit mehrere Vorteile: Es ermöglicht direkte, zerstörungsfreie Messungen der Kontaktpotentialdifferenz mit lateraler Auflösung. Am zweckmäßigsten können Raster-Kelvin-Mikroskope anhand des Verfahrens zur Regelung des mittleren Abstands zwischen Probe und Sonde klassifiziert werden. Dabei erscheinen zur Zeit das modulierte Raster-Kelvin-Mikroskop sowie die Regelung du...     »
Tag der Abgabe der Dissertation:
30.04.2004
Tag der mündlichen Prüfung:
04.08.2005
Eingestellt am:
11.10.2005
Ort:
Neubiberg
Stadt (Autor):
Neuhaus/Rwg.
Vorname (Autor):
Thomas
Nachname (Autor):
Heuer
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