In dieser Arbeit wird eine Struktur in einem Si/SiGe Heterosystem vorgestellt, die es ermöglicht, ihre Filterkurve (Bandpaß) elektrisch zu variieren. Die entwickelte Struktur besitzt zwei Rückenwellenleiter, in denen je ein optisches Gitter integriert ist. Die Gitterlinien der optischen Gitter haben einen Winkel von 45° zur Ausbreitungsrichtung der geführten Welle. Bedingt durch den Winkel der Gitterlinien zur Ausbreitungsrichtung können reflektierte Wellenanteile aus dem einem Wellenleiter (Sendewellenleiter) seitlich ausgekoppelt werden. Mit gleichfalls geneigten Gitterlinien im zweiten Wellenleiter (Empfangswellenleiter) ist es möglich, die seitlich einfallenden reflektierten Wellenanteile in den zweiten Wellenleiter wieder einzukoppeln. Prinzipbedingt ergeben sich dadurch zwei mögliche Übertragungsstrecken: eine Z-förmige und eine U-förmige Übertragungsstrecke. Die Vor- und Nachteile dieser beiden Varianten, sowie die Realisierungsmöglichkeiten solcher Strukturen in Si/SiGe Heterosystemen werden eingehend diskutiert. Mit der hier vorgestellten Struktur sind sehr schmalbandige Filter mit Bandbreiten von unter 0,3nm realisierbar. Durch den Plasmaeffekt ist es möglich die Filterkurve elektrisch schnell zu niedrigeren Wellenlängen hin zu verschieben. Damit ergeben sich einige interessante Anwendungsmöglichkeiten, wie beispielsweise die Möglichkeit aus DWDM Systemen gezielt und dynamisch einen Kanal herauszufiltern.     «

In dieser Arbeit wird eine Struktur in einem Si/SiGe Heterosystem vorgestellt, die es ermöglicht, ihre Filterkurve (Bandpaß) elektrisch zu variieren. Die entwickelte Struktur besitzt zwei Rückenwellenleiter, in denen je ein optisches Gitter integriert ist. Die Gitterlinien der optischen Gitter haben einen Winkel von 45° zur Ausbreitungsrichtung der geführten Welle. Bedingt durch den Winkel der Gitterlinien zur Ausbreitungsrichtung können reflektierte Wellenanteile aus dem einem Wellenleiter (Sen...     »