In dieser Arbeit werden zunächst zwei Filtertypen untersucht, welche aus einer Anordnung von zwei parallelen miteinander verkoppelten Rippenwellenleitern bestehen, in die um 45° bzw. 135° geneigte Gitterlinien (Gräben) eingebaut sind. Sind die Gräben in beiden Wellenleitern in gleicher Richtung geneigt, erhält man ein Z-Path-Filter, sind sie gegensinnig geneigt, spricht man von einem U-Path-Filter. Im Gegensatz zu den bisher eingesetzten Filtern mit senkrecht stehenden Gitterlinien ergibt sich die Filterwirkung nicht aufgrund von Resonanzen, sondern durch Interferenzen sich auf unterschiedlich langen Wegen ausbreitender Wellenanteile. Für die Analyse der Filter wird die sogenannte Grabenzellenanalyse verwendet, bei der man die Gitterstruktur in Zellen einteilt, welche Viertore darstellen und über S-Parameter beschrieben werden. Das U-Path-Filter ist für die Realisierung extrem schmalbandiger Bandpassfilter geeignet und wird näher betrachtet. Das Filterdesign lässt auf das der nichtrekursiven Filter (FIR-Filter) zurückführen. Die Bandbreite des Filters ist um so kleiner, je mehr Gräben eingebaut sind. Filter mit Bandbreiten bis 0,1nm und Sperrdämpfungen von größer 40dB, bei gleichzeitig hoher Flankensteilheit, sind realisierbar. Das Filter ist damit für den Einsatz in DWDM-System bestens geeignet. Die Realisierung des Filters im Halbleitermaterialsystem InpP/InGaAsP wurde aufgezeigt.     «

In dieser Arbeit werden zunächst zwei Filtertypen untersucht, welche aus einer Anordnung von zwei parallelen miteinander verkoppelten Rippenwellenleitern bestehen, in die um 45° bzw. 135° geneigte Gitterlinien (Gräben) eingebaut sind. Sind die Gräben in beiden Wellenleitern in gleicher Richtung geneigt, erhält man ein Z-Path-Filter, sind sie gegensinnig geneigt, spricht man von einem U-Path-Filter. Im Gegensatz zu den bisher eingesetzten Filtern mit senkrecht stehenden Gitterlinien ergibt sich d...     »