Xenondifluorid (XeF2) Gas kann bei Raumtemperatur Silizium spontan ätzen. Der Prozeß verläuft nicht thermisch. Das Siliziumätzen mit XeF2 Gas wurde mit Hilfe des Excimerlasers ohne Fotolack untersucht. Um das spontane Ätzen zu unterdrücken, wurde Argon als Puffergas für den Ätzenprozeß benutzt. Das spontane Ätzen kann bei Raumtemperatur aber nicht ganz unterdrückt werden. Im UHV(Ultra-Hoch-Vakuum) System wurden Excimer Laser unterstützte lokale Deltadotierung von Antimon und Bor untersucht. Die thermischen Eigenschaften von Antimon und Bor sind unterschiedlich. Jenachdem wurden verschiedene Prozeßabläufe durchgeführt. Die Experimente wurden mit der Hilfe von SIMS(secondary ion mass spectroscopy) analysiert. Die Excimer Laser unterstützte Siliziumoxidation auf der wasserstoffplasmapassivierten Oberfläche wurde untersucht. Die Oxidation wurde an den beiden Kristalloberflächen mit den Orientierungen Si-H(100) und Si-H(111) durchgeführt. Zum Vergleich wurden die Siliziumwafer auch ohne Sauerstoff mit dem Laser bearbeitet. Zum Nachweis der gewachsenen Oxide wurden elektrische Untersuchungen und SIMS-Analysen benutzt. Die Ergebnisse werden diskutiert.     «

Xenondifluorid (XeF2) Gas kann bei Raumtemperatur Silizium spontan ätzen. Der Prozeß verläuft nicht thermisch. Das Siliziumätzen mit XeF2 Gas wurde mit Hilfe des Excimerlasers ohne Fotolack untersucht. Um das spontane Ätzen zu unterdrücken, wurde Argon als Puffergas für den Ätzenprozeß benutzt. Das spontane Ätzen kann bei Raumtemperatur aber nicht ganz unterdrückt werden. Im UHV(Ultra-Hoch-Vakuum) System wurden Excimer Laser unterstützte lokale Deltadotierung von Antimon und Bor untersucht. Die...     »