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Autor:
Blank, Oliver
Originaltitel:
Charakterisierung und Modellierung der Leckstrommechanismen in modernen DRAM high-k Materialien
Jahr:
2006
Typ:
Dissertation
Einrichtung:
Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Betreuer:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.
Gutachter:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.; Schulze, Jörg, Prof. Dr.-Ing.
Format:
PDF
Sprache:
Deutsch
Schlagworte:
Dynamisches RAM ; Dielektrische Schicht ; Leckstrom ; Tunneleffekt
Stichworte:
high-k Materialien, Leckströme, Tunneleffekt, Traps, MOS, MIM, MSTAT, TAT, Poole-Frenkel
Kurzfassung:
In dieser Arbeit werden die Leckstrommechanismen in high-k Dielektrika diskutiert. Ein neues Leckstrommodell, das auf alle Isolatoren mit Traps in der Bandlücke erfolgreich anwendbar ist, wurde eingeführt und mehrmals experimentell bestätigt.
Tag der mündlichen Prüfung:
24.03.2006
Eingestellt am:
16.02.2009
Ort:
Neubiberg
BibTeX