Login
- Autor:
- Blank, Oliver
- Originaltitel:
- Charakterisierung und Modellierung der Leckstrommechanismen in modernen DRAM high-k Materialien
- Jahr:
- 2006
- Typ:
- Dissertation
- Einrichtung:
- Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
- Betreuer:
- Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.
- Gutachter:
- Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.; Schulze, Jörg, Prof. Dr.-Ing.
- Format:
- URN:
- urn:nbn:de:bvb:706-1604
- Sprache:
- Deutsch
- Schlagworte:
- Dynamisches RAM ; Dielektrische Schicht ; Leckstrom ; Tunneleffekt
- Stichworte:
- high-k Materialien, Leckströme, Tunneleffekt, Traps, MOS, MIM, MSTAT, TAT, Poole-Frenkel
- Kurzfassung:
- In dieser Arbeit werden die Leckstrommechanismen in high-k Dielektrika diskutiert. Ein neues Leckstrommodell, das auf alle Isolatoren mit Traps in der Bandlücke erfolgreich anwendbar ist, wurde eingeführt und mehrmals experimentell bestätigt.
- Tag der mündlichen Prüfung:
- 24.03.2006
- Eingestellt am:
- 16.02.2009
- Ort:
- Neubiberg
- Vorname (Autor):
- Oliver
- Nachname (Autor):
- Blank
BibTeX
versions
