m Gegensatz zu Halbleiterverstärkern mit einem breitbandigen Verstärkerverhalten wird in dieser Arbeit ein Verstärker vorgestellt, der ein schmalbandiges Übertragungsverhalten zeigt. Die Wellenlängenselektivität wird durch eine resonanzfreie Struktur erreicht, die keinen Laserbetrieb erlaubt. Daher ergibt sich keine Begrenzung der Injektionsströme durch eine Laserschwelle. Der Halbleiterverstärker enthält zwei Gitterbereiche mit geneigten Gitterlinien, die dem Licht unterschiedlich lange Ausbreitungswege eröffnen. Die Interferenzen dieser Lichtanteile führen zur Schmalbandigkeit des Verstärkers. Im Rahmen dieser Arbeit wird die Bauelementstruktur dimensioniert und das Banddiagramm hinsichtlich des Ladungsträgereinschlusses dimensioniert. Außerdem werden die Auswirkungen der Ladungsträgerdichte auf die effektive Brechzahl der Wellenleiter eingehend untersucht. Zur Berechnung der Verstärkereigenschaften wird ein Simulationsmodell entwickelt, das ortsaufgelöst sowohl die Gittereigenschaften als auch die optische Verstärkung erfasst. Der Verstärker ermöglicht die Kananltrennung in DWDM-Systemen mit Kanalabständen von 0,2nm und eine gleichzeitige Verstärkung des gefilterten Kanals.    «

m Gegensatz zu Halbleiterverstärkern mit einem breitbandigen Verstärkerverhalten wird in dieser Arbeit ein Verstärker vorgestellt, der ein schmalbandiges Übertragungsverhalten zeigt. Die Wellenlängenselektivität wird durch eine resonanzfreie Struktur erreicht, die keinen Laserbetrieb erlaubt. Daher ergibt sich keine Begrenzung der Injektionsströme durch eine Laserschwelle. Der Halbleiterverstärker enthält zwei Gitterbereiche mit geneigten Gitterlinien, die dem Licht unterschiedlich lange Ausbrei...    »