AtheneForschung - Informationsportal der UniBw M

Home / Alle InhaltePublikationen (Universitätsbibliografie)Fakultäten (univ.)Fakultät für Elektrotechnik und InformationstechnikEIT 2 - Institut für Physik

Zurück
Zurück zum Anfang der Trefferliste
Dauerhafter Link zum angezeigten Objekt

Autoren:

Jadwiszczak, Jakub; Keane, Darragh; Maguire, Pierce; Cullen, Conor P.; Zhou, Yangbo; Song, Huading; Downing, Clive; Fox, Daniel; McEvoy, Niall; Zhu, Rui; Xu, Jun; Düsberg, Georg S.; Liao, Zhi-Min; Boland, John J.; Zhang, Hongzhou

Dokumenttyp:

Zeitschriftenartikel / Journal Article

Titel:

MoS₂ Memtransistors Fabricated by Localized Helium Ion Beam Irradiation

Zeitschrift:

ACS Nano

Jahrgang:

Heftnummer:

Jahr:

2019

Seiten von - bis:

14262-14273

Sprache:

Englisch

Stichwörter:

2D semiconductors ; defect engineering ; helium ion microscope ; memristors ; neuromorphic ; sulfur vacancies

DOI:

10.1021/acsnano.9b07421

URL zum Inhalt:

https://doi.org/10.1021/acsnano.9b07421

Fakultät:

Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik

Institut:

EIT 2 - Institut für Physik

Professur:

Düsberg, Georg

Open Access ja oder nein?:

Nein / No

BibTeX

Vorkommen:

Home / Alle Inhalte Publikationen (Universitätsbibliografie)Fakultäten (univ.)Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik EIT 2 - Institut für Physik