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- Autorinnen/Autoren:
- Ammer, Michael; Rupp, Andreas; Cao, Yiqun; Russ, Christian; Sauter, Martin; Maurer, Linus
- Dokumenttyp:
- Konferenzbeitrag / Conference Paper
- Titel:
- Modeling the Transient Behavior of MOS-Transistors during ESD and Disturbance Pulses in a System with a Generic Black Box Approach
- Titel Konferenzpublikation:
- 2018 40th Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (EOS/ESD)
- Konferenztitel:
- Electrical Overstress/Electrostatic Discharge Symposium (40., 2018, Reno, NV)
- Tagungsort:
- Reno, NV, USA
- Jahr der Konferenz:
- 2018
- Datum Beginn der Konferenz:
- 23.09.2018
- Datum Ende der Konferenz:
- 28.09.2018
- Verlagsort:
- Piscataway, NJ
- Verlag:
- IEEE
- Jahr:
- 2018
- Seitenbereich:
- 1-7
- Sprache:
- Englisch
- ISBN:
- 978-1-5853-7302-4 ; 978-1-5386-7409-3
- ISSN:
- 0739-5159
- DOI:
- 10.23919/EOS/ESD.2018.8509756
- Fakultät:
- Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik; Fakultät für Elektrotechnik und Technische Informatik
- Institut:
- EIT 4 - Institut für Mikroelektronik und Schaltungstechnik; ETTI 1 - Institut für Physik, Elektrotechnik und Automatisierungstechnik
- Professorin/Professor:
- Sauter, Martin ; Maurer, Linus
- Open Access:
- Nein / No
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