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Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
SiC MOSFET Device Parameter Spread and Ruggedness of Parallel Multichip Structures
Zeitschrift:
Materials Science Forum
Jahrgang:
924
Jahr:
2018
Seiten von - bis:
811-817
Sprache:
Englisch
ISSN:
0255-5476
Fakultät:
Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Institut:
EIT 4 - Institut für Mikroelektronik und Schaltungstechnik
Professur:
Maurer, Linus
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
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