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Autoren:
Janotta, A.; Janssen, R.; Schmidt, M.; Graf, T.; Stutzmann, Martin; Görgens, Lutz; Bergmaier, Andreas; Dollinger, Günther; Hammerl, C.; Schreiber, S.; Stritzker, Bernd
Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article
Titel:
Doping and its efficiency in a-SiOx:H
Zeitschrift:
Physical Review B
Jahrgang:
69
Heftnummer:
11
Jahr:
2004
Seiten von - bis:
1152061-11520616
Sprache:
Englisch
Stichwörter:
carbon dioxide ; glass ; hydrogen ; oxygen ; silicon derivative, article ; chemical modification ; concentration (parameters) ; hardness ; semiconductor ; vapor
Abstract:
Amorphous hydrogenated silicon suboxides (a-SiOx:H) deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition have a band gap which can be tuned from 1.9 to 3.0 eV by varying the oxygen content [O] from 0 to 50 at.
ISSN:
0163-1829
DOI:
10.1103/PhysRevB.69.115206
URL zum Inhalt:
http://journals.aps.org/prb/abstract/10.1103/PhysRevB.69.115206
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik
Institut:
LRT 2 - Institut für angewandte Physik und Messtechnik
Professur:
Dollinger, Günther
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
BibTeX
Vorkommen:
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