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Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag / Conference Paper
Titel:
Radiation Hardness Testing of Super-Junction Power Mosfets by Heavy Ion Induced SEE Mapping
Titel Konferenzpublikation:
2018 IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (IPFA)
Konferenztitel:
IEEE International Symposium on the Physical and Failure Analysis of Integrated Circuits (2018, Singapore)
Tagungsort:
Singapore
Jahr der Konferenz:
2018
Datum Beginn der Konferenz:
16.07.2018
Datum Ende der Konferenz:
19.07.2018
Verlagsort:
Piscataway, NJ
Verlag:
IEEE
Jahr:
2018
Sprache:
Englisch
ISBN:
978-1-5386-4929-9 ; 978-1-5386-4930-5
URL zum Inhalt:
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik
Institut:
LRT 2 - Institut für Angewandte Physik und Messtechnik
Professur:
Dollinger, Günther
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
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