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Autoren:
Oila, J.; Kemppinen, A.; Laakso, A.; Saarinen, K.; Egger, Werner; Liszkay, Laszlo; Sperr, Peter; Lu, H.; Schaff, W. J. 
Dokumenttyp:
Zeitschriftenartikel / Journal Article 
Titel:
Influence of layer thickness on the formation of in vacancies in InN grown by molecular beam epitaxy 
Zeitschrift:
Applied Physics Letters 
Jahrgang:
84 
Heftnummer:
Jahr:
2004 
Seiten von - bis:
1486-1488 
Sprache:
Englisch 
Abstract:
We have used a low-energy positron beam to identify In vacancies in InN layers grown on Al2O3 by molecular beam epitaxy. Their concentration decreases from similar to5x10(18) to below 10(16) cm(-3) with increasing layer thickness (120-800 nm). The decrease in the vacancy concentration coincides with the increase in the electron Hall mobility, suggesting that In vacancies act as electron scattering centers. 
ISSN:
0003-6951 
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik 
Institut:
LRT 2 - Institut für angewandte Physik und Messtechnik 
Professur:
Dollinger, Günther 
Open Access ja oder nein?:
Nein / No