Login
Dokumenttyp:
Konferenzbeitrag / Conference Paper
Titel:
Nitrogen profile and electrical properties of reoxidized thermally grown silicon nitrides
Herausgeber Sammlung:
Sah, R. E.; Deen, M. J.; Zhang, J.; Yota, J.; Kamakura, Y.
Titel Konferenzpublikation:
Proceedings - Electrochemical Society
Untertitel Konferenzpublikation:
207th ECS Meeting; Quebec; Canada; 16 May 2005 through 20 May 2005; Code 66429
Reihentitel:
Proceedings - Electrochemical Society
Bandnummer Reihe:
PV 2005-01, 2005
Jahrgang:
207
Heftnummer:
412
Konferenztitel:
Electrochemical Society Meeting (207., 2005, Quebec)
Tagungsort:
Quebec ; Canada
Jahr der Konferenz:
2005
Datum Beginn der Konferenz:
16.05.2005
Datum Ende der Konferenz:
20.05.2005
Verlag:
ECS - The Electrochemical Society
Jahr:
2005
Seiten von - bis:
232-241
Sprache:
Englisch
Stichwörter:
Current density ; Electric properties ; Nitrogen ; Oxidation, Elastic recoil detection measurements ; Tunneling current density ; Silicon nitride
Abstract:
Starting from thermally grown Si3N4 we have examined the effects of dry and wet reoxidation in 100
Fakultät:
Fakultät für Luft- und Raumfahrttechnik
Institut:
LRT 2 - Institut für angewandte Physik und Messtechnik
Professur:
Dollinger, Günther
Open Access ja oder nein?:
Nein / No
Sonstige Angaben:
ECS Meeting Abstracts ; Film Preparation, Characterization, and Applications II - Abstract 412
BibTeX