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Autor:
Ludsteck, Alexandra 
Originaltitel:
Optimierung von Gate-Dielektrika für die MOS-Technologie 
eMail-Addresse (Autor):
Alexandra.Ludsteck@unibw-muenchen.de 
Jahr:
2005 
Typ:
Dissertation 
Einrichtung:
Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik 
Betreuer:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat. 
Gutachter:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.; Baumgärtner, Hermann, Prof. Dr.-Ing. 
Format:
PDF 
Sprache:
Deutsch 
Fachgebiet:
Physik, Astronomie 
Schlagworte:
MOS-Schaltung ; Gate ; Dielektrikum ; Siliciumdioxid ; Siliciumoxinitride 
Stichworte:
Siliziumdioxid, Siliziumnitrid, Oxynitrid, Gate-Dielektrika, high-k Dielektrika 
Kurzfassung:
Diese Arbeit beschäftigt sich mit der Optimierung von Gate-Dielektrika für die Silizium-basierte MOS-Technologie. Der Schwerpunkt liegt dabei auf der Verbesserung der elektrischen Eigenschaften von thermischem Siliziumdioxid SiO₂ und stickstoffreichem Siliziumoxynitrid SiOxNy, da es bisher nicht gelungen ist, alternative Gate-Dielektrika (sog. high-k-Materialien) erfolgreich in die bestehende Technologie zu integrieren und somit auch weiterhin Interesse an den herkömmlichen Dielektrika besteht....    »
 
Veröffentlichung:
Erschienen im Shaker Verl., Aachen in: "Berichte aus der Halbleitertechnik" (3-8322-4247-3) 
Tag der mündlichen Prüfung:
11.03.2005 
Eingestellt am:
23.03.2005 
Ort:
Neubiberg 
Stadt (Autor):
München 
Vorname (Autor):
Alexandra 
Nachname (Autor):
Ludsteck