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Autor:
Schindler, Markus
Originaltitel:
Selektive Epitaxie für Quantenbauelemente
Jahr:
2006
Typ:
Dissertation
Einrichtung:
Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Betreuer:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.
Gutachter:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.; Hansch, Walter, Prof. Dr.-Ing.
Format:
PDF
Sprache:
Deutsch
Schlagworte:
CMOS ; Dotierung ; Selektive Epitaxie
Stichworte:
CMOS,MOSFET, Selektive Epitaxie, LPCVD, Si, SiGe, Strain-Engineering, Vorreinigung, Source, Drain, Bor-Dotierung, As-Dotierung
Übersetzte Stichworte:
CMOS, MOSFET, Selective Epitaxy, LPCVD, Si, SiGe, Strain-Engineering, Precleaning, Source, Drain, Boron-doping, Arsenic-doping
Kurzfassung:
Die vorliegende Arbeit befasst sich mit der Prozessentwicklung von p- und n-dotierter selektiver Epitaxie (SE) für die Herstellung von hochdotierten source/drain-extensions in der höchstintegrierten CMOS-Produktion. Die kontinuierliche Verkleinerung von CMOS- Strukturen erfordert sehr abrupte Dotierübergänge, weshalb das thermische Budget von Dotier- und nachfolgenden Prozessen stark verringert werden muss. Da die bisher benutzte Ionenimplantation ein Hochtemperaturprozess ist, kann sie die Anfo... »
Übersetzte Kurzfassung:
This work focuses on the potential of Selective Epitaxial Growth (SEG) for the fabrication of highly doped source/drain-extensions in VLSI CMOS production. SEG is considered to replace ion implantation as the common doping method. The aggressive downscaling of CMOS- and DRAM-structures puts strict requirements on doping shallowness and abruptness of source/drain-junctions. Because diffusion of dopants (especially boron) is strongly temperature activated, the temperature for doping (and subsequen... »
Tag der mündlichen Prüfung:
08.12.2006
Eingestellt am:
25.03.2009
Ort:
Neubiberg
BibTeX