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Autor:
Bayerstadler, Anton
Originaltitel:
Reinigung und Gasphasenepitaxie in einem Ultrahochvakuum-Mehrkammersystem für zukünftige CMOS-Technologien
Jahr:
2006
Typ:
Dissertation
Einrichtung:
Universität der Bundeswehr München, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Betreuer:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.
Gutachter:
Eisele, Ignaz, Prof. Dr. rer. nat.; Schulze, Jörg, PD Dr.-Ing. habil.
Format:
PDF
Sprache:
Deutsch
Schlagworte:
CMOS-Schaltung ; Gasphasenepitaxie ; Ultrahochvakuum
Stichworte:
CMOS, MOSFET, Source/Drain-Engineering, UHV, Mehrkammersystem, selektive Epitaxie, SEGG, Inkubationszeit, Gasphasenepitaxie, CVD, UHV-CVD, MBE, Si, SiGe, Silan, German, Wasserstoff-Plasmareinigung, thermische Desorption (HT-Reinigung)
Übersetzte Stichworte:
CMOS, MOSFET, Source/Drain engineering, UHV, cluster tool, selective epitaxy, SEG, incubation time, gas phase epitaxy, CVD, UHV-CVD, MBE, silicon, silane, germane, hydrogen plasma cleaning, thermal desorption (HT cleaning)
Kurzfassung:
Die Arbeit beschäftigt sich mit der Reinigung und Gasphasenepitaxie in einem Ultrahochvakuum-Mehrkammersystem (UHV-Mehrkammersystem) für zukünftige CMOS-Technologien. Der Schwerpunkt der Arbeit liegt dabei in der Entwicklung von Prozessen für das \"Kontakt-Engineering\" von Source- und Drain (S/D) für sub-100 nm MOSFETs. Mögliche Anwendungen liegen in der Implementierung von erhöhten S/D-Kontakten zur Erniedrigung der Source/Drain-Anschusswiderstände oder dem epitaktischen Auffüllen von S/D-Exte... »
Übersetzte Kurzfassung:
The dissertation deals with cleaning and gas phase epitaxy in an ultra high vacuum multi chamber system (UHV cluster tool) for future CMOS technologies. The emphasis of the work is the development and discussion of processes for the \"contact engineering\" of source and drain (S/D) for sub-100 nm MOSFETs. Appropriate applications focus on the implementation of elevated S/D contacts to reduce S/D contact resistances or an epitaxial refilling of S/D extensions to minimize short channel effects. In the context of this work for the first time a hydrogen plasma cleaning for the in-situ-LT-cleaning of planar or pre-structured substrates was combined with UHV-CVD epitaxy in a cluster tool. The use of a SiH4/GeH4 precursor gas mixture with typical process pressures of 10-4 mbar to 10-2 mbar ensures selective epitaxial growth of silicon and silicon germanium alloys even without chlorine chemistry. As a conclusion one can establish a full process including pre-cleaning and selective epitaxial growth (SEG) at temperatures T<800 °C for Si-UHV-CVD and T<600 °C for SiGe-UHV CVD. The technological conditions, which are given in the development of a selective LT epitaxy process without chlorinated precursors in combination with a in situ LT cleaning in a cluster tool, were fully fulfilled.
Veröffentlichung:
Erschienen im Cuvillier-Verl., Göttingen (978-3-86727-984-5)
Tag der Abgabe der Dissertation:
17.01.2006
Tag der mündlichen Prüfung:
17.07.2006
Eingestellt am:
17.02.2009
Ort:
Neubiberg
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