Im Rahmen dieser Arbeit wurden zum ersten Mal Niob und Niobnitrid Metallelektroden in MOS-Bauelemente mit SiO2- und High-K-Dielektrika integriert. Beide Materialien zeichnen sich durch einen niedirigen Schichtwiderstand aus. Es konnte gezeigt werden, daß Niobnitrid eine andere Austrittsarbeit als Niob besitzt und sich die Austrittsarbeiten beider Materialien in der Nähe von Midgap befinden. Von besonderer Bedeutung ist das inerte Verhalten von Niobnitrid. Im Gegensatz zu Niob erzeugt Niobnitrid keinerlei Störstellen in Gateoxiden. Selbst die Verwendung von Gatedielektrika, die durch ihre Struktur besonders anfällig für die Entstehung von Defekten sind, führt zu Bauelementen, deren elektrisches Verhalten ideal ist. Es wurde nachgewiesen, daß Gatestacks mit Niobnitrid bei Temperprozessen mit Temperaturen bis zu 1050°C keine Anzeichen von Degradation oder Defektentstehung zeigen. Ein weiterer Schwerpunkt dieser Arbeit liegt auf der Identifikation und dem Ausheilen von Defekten innerhalb des Gatedielektrikums ebenso wie an der Grenzfläche Dielektrikum / Substrat, die bei der Abscheidung von Metallelektroden oder der Waferprozessierung entstehen können.    «

Im Rahmen dieser Arbeit wurden zum ersten Mal Niob und Niobnitrid Metallelektroden in MOS-Bauelemente mit SiO2- und High-K-Dielektrika integriert. Beide Materialien zeichnen sich durch einen niedirigen Schichtwiderstand aus. Es konnte gezeigt werden, daß Niobnitrid eine andere Austrittsarbeit als Niob besitzt und sich die Austrittsarbeiten beider Materialien in der Nähe von Midgap befinden. Von besonderer Bedeutung ist das inerte Verhalten von Niobnitrid. Im Gegensatz zu Niob erzeugt Niobnitrid...    »